Published

Sunday, August 14, 2016
অর্ধপরিবাহীর গাঠনিক বৈশিষ্ট্য

অর্ধপরিবাহীর গাঠনিক বৈশিষ্ট্য

              অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যান্ড এবং বৈদ্যুতিক প্রবাহ সম্পর্কে পড়তে এখানে ক্লিক করুন 
                   অর্ধপরিবাহী ও পিএন জাংশন এর বহুনির্বাচনী পড়তে এখানে ক্লিক করুন
অর্ধপরিবাহীর দুটি গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্য ভূমিকায় উল্লেখ করা হয়েছে।

প্রথমত, পরিবাহী পদার্থে যেখানে তাপমাত্রা বাড়ালে পরিবাহিতা হ্রাস পায় অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে সেখানে তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে পরিবাহিতা বৃদ্ধি পায়। দ্বিতীয় সামান্য অপদ্রব্য যোগ করলে এদের পরিবাহিতা উল্লেখযোগ্য পরিমাণ বৃদ্ধি পায়। দ্বিতীয় বৈশিষ্ট্যটি ডোপায়ন নিয়ে আলোচনা করতে গিয়ে ব্যাখ্য করা হবে। এখানে অর্ধপরিবাহীর অভ্যন্তরীন গঠন ব্যাখ্যা করার মাধ্যমে প্রথম বৈশিষ্ট্যটি বিস্তারিত বলা হবে।


পরিবাহী পদার্থের সর্ববহিঃস্থ শক্তিস্তরে একটি, দুটি বা সর্বোচ্চ তিনটি ইলেকট্রন থাকে। বহিঃস্তরের এই ইলেকট্রনগুলো পরমাণু কেন্দ্রের সাথে বেশ দুর্বলভাবে সংযুক্ত থাকে। এই সর্ববহিঃস্থ তথা যোজন স্তরের ইলেকট্রনগুলো অন্য পরমাণুর অসম্পূর্ণ কক্ষপথ পূর্ণ করার জন্য নিজ পরমাণু ছেড়ে চলে যায়। এভাবে আয়নিক বন্ধনগঠিত হয়। এভাবে পরিবাহীর অভ্যন্তরের ইলেকট্রনগুলো এক পরমাণু থেকে আরেক পরমাণুতে ভ্রমণ করতে পারে। আর এ কারণেই এদের মধ্য দিয়ে বিদ্যুৎ প্রবাহিত হয়, ইলেকট্রনের প্রবাহই তো আসলে বিদ্যুৎ। মূলত যোজন ইলেকট্রনের স্বাধীন চলাচলেই পরিবহন ঘটে। কিন্তু, অপরিবাহী পদার্থের সর্ববহিঃস্থ শক্তিস্তর ইলেকট্রন দ্বারা প্রায় পূর্ণ থাকে। উল্লেখ্য বহিঃস্থ স্তরে আটটি ইলেকট্রন থাকলে তা সুস্থিতি লাভ করে, আর অপরিবাহীতে আটটি বা এর কাছাকাছি সংখ্যক ইলেকট্রন থাকে। তাই এদের যোজন ইলেকট্রন পরিবহনে অংশ নিতে পারেনা, তারা নিজ নিজ পরমাণুতে দৃঢ়ভাবে আবদ্ধ থাকে।

অপরদিকে অর্ধপরিবাহী পদার্থ যেমন জার্মেনিয়াম বা সিলিকন পরমাণুর বাইরের কক্ষে চারটি ইলেকট্রন থাকে। আটটি পূর্ণ করতে হলে তার প্রয়োজন আরও চারটি ইলেকট্রন। তারা বাকি চারটি ইলেকট্রন অর্জন করে আশেপাশের অন্য পরমাণু থেকে। তবে পাশের পরমাণু তাদের ইলেকট্রন একেবারে দিয়ে দেয়না বরং ভাগাভাগি করে। একে অপরের চারটি করে পরমাণু ভাগাভাগি করে। ফলে দুজনেই বহিঃস্থ কক্ষে আটটি করে ইলেকট্রন পায় এবং স্থিতি অর্জন করে। এভাবে তাদের মধ্যে যে বন্ধনের সৃষ্টি হয় তাকে বলে সমযোজী বন্ধন। উল্লেখ্য কিছু পরিবাহী বা অপরিবাহীও সমযোজী বন্ধন তৈরি করতে পারে। এভাবে সমযোজী বন্ধন গঠনের মাধ্যমে জার্মেনিয়াম বা সিলিকন বিশুদ্ধ কেলাস তৈরি করে যাকে কঠিন অবস্থা পদার্থবিজ্ঞানের ভাষায় অন্তর্জাত (intrinsic) কেলাস বলা হয়। এগুলোতে কোন মুক্ত ইলেকট্রন থাকেনা তাই স্বাভাবিক অবস্থায় এরা কোন তড়িৎ পরিবহন করেনা। এ ধরণের বিশুদ্ধ কেলাসের তাপমাত্রা বাড়ালে কিছু কিছু সমযোজী বন্ধন ভেঙে যায় এবং গুটিকতক মুক্ত ইলেকট্রনের সৃষ্টি হয়। এভাবেই উচ্চ তাপমাত্রায় অর্ধপরিবাহী পদার্থ সাধারণ পরিবাহীর মত আচরণ করে।
অর্ধপরিবাহী ও পিএন জাংশন এর বহুনির্বাচনী

অর্ধপরিবাহী ও পিএন জাংশন এর বহুনির্বাচনী

                                  অর্ধপরিবাহী সম্পর্কে পড়তে এখানে ক্লিক করুন 
                      অর্ধপরিবাহীর গাঠনিক বৈশিষ্ট্য সম্পর্কে পড়তে এখানে ক্লিক করুন
             অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যান্ড এবং বৈদ্যুতিক প্রবাহ সম্পর্কে পড়তে এখানে ক্লিক করুন 

১। অর্ধপরিবাহী গঠিত হয় ______ বন্ধন দ্বারা

ক) সমযোজী বন্ধন              খ) ইলেকট্রোভ্যালেন্ট বন্ড

গ) সমন্বিত বন্ধন                ঘ) কোনটি নয়।

উত্তর : ক) সমযোজী বন্ধন।

২। অর্ধপরিবাহীর টেম্পারেচার কো-ইফিসিয়েন্ট রেজিস্ট্যান্স কি ধরণের?

ক) পজেটিভ                      খ) শূণ্য

গ) নেগেটিভ                      ঘ) কোনটি নয়।

উত্তর :গ) নেগেটিভ

৩। সর্বাধিক ব্যবহৃত সেমিকন্ডাকটর

ক) জার্মেনিয়াম                 খ) সিলিকন

গ) কার্বন                        ঘ) সালফার

উত্তর : খ) সিলিকন

৪। সেমিকন্ডাকটরের যোজ্যতা ইলেকট্রনের সংখ্যা

ক) ২টি                             খ) ৩টি

গ) ৬টি                             ঘ) ৪টি

উত্তর : ঘ) ৪টি

৫। আদর্শ অবস্থায় খাটি জার্মেনিয়ামের রেজিস্টিভিটি প্রায়

ক) ৬x১০৪ ওহম-সেঃমিঃ              খ) ৬০ ওহম-সেঃমিঃ

গ) ৩x১০৬ ওহম-সেঃমিঃ              ঘ) ৬x১০-৪ ওহম-সেঃমিঃ

উত্তর : খ) ৬০ ওহম-সেঃমিঃ


৬। আদর্শ অবস্থায় খাটি সিলিকিনের রেজিস্টিভিটি প্রায়

ক) ১০০ ওহম-সেঃমিঃ                  খ) ৬০০০ ওহম-সেঃমিঃ

গ) ৩x১০৫ ওহম-সেঃমিঃ              ঘ) ১.৬x১০-৮ ওহম-সেঃমিঃ

উত্তর : খ) ৬০০০ ওহম-সেঃমিঃ

৭। যখন খাটি সেমিকন্ডাকটর উত্তপ্ত হয়, তখন এর রেজিস্ট্যান্স

ক) বৃদ্ধি পায়                            খ) হ্রাস পায়

গ) একই থাকে                          ঘ) অজ্ঞাত

উত্তর :   খ) হ্রাস পায়

৮। সেমিকন্ডাকটর পদার্থের দৃঢ়তা সৃষ্টি হয় কিসের মাধ্যমে?

ক) নিউক্লিয়াসের আকর্ষণ বল              খ) প্রোটনসমূহের আকর্ষণ বল

গ) ইলেকট্রন জোড় বন্ধন                     ঘ) কোনটি নয়

উত্তর :গ) ইলেকট্রন জোড় বন্ধন 

৯। যখন পঞ্চ-যোজী অপদ্রব্য খাটি অর্ধপরিবাহীর সাথে মিলিত হয় তখন

ক) মিশ্রণটি অপরিবাহী                       খ) খাটি অর্ধপরিবাহী

গ) পি-টাইপ অর্ধপরিবাহী                    ঘ) এন-টাইপ অর্ধপরিবাহী

উত্তর :   ঘ) এন-টাইপ অর্ধপরিবাহী

১০। পঞ্চ-যোজী অপদ্রব্য খাটি অর্ধপরিবাহীর সাথে মিলিত হলে কি সৃষ্টি হয়

ক) মুক্ত ইলেকট্রন            খ) হোল

গ) যোজ্যতা ইলেকট্রন       ঘ) বন্ধন ইলেকট্রন

উত্তর : ক) মুক্ত ইলেকট্রন   

১১। যখন পঞ্চ-যোজী অপদ্রব্যের যোজ্যতা ইলেকট্রন –

ক) ৩           খ) ৫

গ) ৪           ঘ) ৬

উত্তর :   খ) ৫

১২। এন-টাইপ সেমিকন্ডাকটর

ক) ধণাত্বক চার্জিত             খ) ঋণাত্বক চার্জিত

গ) তড়িৎ নিরপেক্ষ            ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : গ) তড়িৎ নিরপেক্ষ   

১৩। ত্রি-যোজী অপদ্রব্যের যোজ্যতা ইলেকট্রন –

ক) ৪                 খ) ৫

গ) ৬                ঘ) ৩

উত্তর :  ঘ) ৩

১৪। ত্রি-যোজী অপদ্রব্য সেমিকন্ডাকটরে মিশ্রণের ফলে সৃষ্টি হয় –

ক) প্রচুর হোল                    খ) প্রচুর মুক্ত ইলেকট্রন

গ) যোজ্যতা ইলেকট্রন        ঘ) বন্ধন ইলেকট্রন

উত্তর : ক) প্রচুর হোল 

১৫। সেমিকন্ডাকটরের হোলকে সজ্ঞায়িত করা হয় –

ক) একটি মুক্ত ইলেকট্রন          খ) একটি অসম্পূর্ণ ইলেকট্রন জোড় বন্ধন

গ) একটি মুক্ত প্রোটন               ঘ) একটি মুক্ত নিউট্রন

উত্তর :  খ) একটি অসম্পূর্ণ ইলেকট্রন জোড় বন্ধন

১৬। ডোপিং করার ফলে সেমিকন্ডাকটরের রেজিস্ট্যান্স –

ক) একই থাকে              খ) বৃদ্ধি পায়

গ) হ্রাস পায়                ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : গ) হ্রাস পায় 

১৭। একটি ইলেকট্রন হোলের নিকটবর্তী হলে তারা পরস্পর –

ক) বিকর্ষিত হয়                   খ) আকর্ষিত হয়

গ) কোন প্রতিক্রিয়া নেই        ঘ) কোনটি নয়

উত্তর :   খ) আকর্ষিত হয়

১৮। একটি সেমিকন্ডাকটরে কারেন্ট প্রবাহিত হয় –

ক) হোলের কারণে                                   খ) মুক্ত ইলেকট্রনের কারণে

গ) হোল ও মুক্ত ইলেকট্রনের কারণে           ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : গ) হোল ও মুক্ত ইলেকট্রনের কারণে 

১৯। তাপের কারণে ইলেকট্রন ও হোলের এলোমেলো গতিকে বলা হয় –
ক) ডিফিউশন                      খ) চাপ

গ) আয়োনাইজেশন               ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : ক) ডিফিউশন

২০। সন্মুখ বায়াস যুক্ত পিএন জাংশনের রেজিস্ট্যান্স –
ক) ওহমিক রেঞ্জে                 খ) কিলোওহমিক রেঞ্জে

গ) মেগাওহমিক রেঞ্জে           ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : ক) ওহমিক রেঞ্জে  

২১। জার্মেনিয়াম জাংশনের বেরিয়ার ভোল্টেজ প্রায় –

ক) ৩.৫ ভোল্ট                খ) ৩ ভোল্ট

গ) শূণ্য ভোল্ট                ঘ) ০.৩ ভোল্ট

উত্তর : ঘ) ০.৩ ভোল্ট

২২। ডিপ্লেশন লেয়ারে থাকে –

ক) একসেপটর আয়ন               খ) হোল এবং ইলেকট্রন

গ) ডোনার আয়ন                    ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : খ) হোল এবং ইলেকট্রন

২৩। পশ্চাৎমুখ বায়াস যুক্ত পিএন জাংশনের আছে –

ক) সরু ডিপ্লেশন লেয়ার                 খ) কোন ফরওয়ার্ড কারেন্ট নেই

গ) খুব কম রেজিস্ট্যান্স                  ঘ) প্রচুর কারেন্ট

উত্তর :  খ) কোন ফরওয়ার্ড কারেন্ট নেই

২৪। একটি পিএন জাংশন কি হিসাবে ক্রিয়া করে?
ক) কন্ট্রোলড্‌ সুইচ                        খ) দ্বি-মুখী সুইচ

গ) একমুখী সুইচ                         ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : গ) একমুখী সুইচ     

২৫। পশ্চাৎমুখ বায়াস যুক্ত পিএন জাংশনের রেজিস্ট্যান্স –

ক) ওহমিক রেঞ্জে                      খ) কিলোওহমিক রেঞ্জে

গ) মেগাওহমিক রেঞ্জে                ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : গ) মেগাওহমিক রেঞ্জে

২৬। পিএন জাংশনের মধ্য দিয়ে লিকেজ কারেন্ট প্রবাহিত হয় কিসের জন্য?

ক) মাইনরিটি কেরিয়ার                 খ) মেজরিটি কেরিয়ার

গ) জাংশন ক্যাপাসিট্যান্স                ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : ক) মাইনরিটি কেরিয়ার 

২৭। ফরওয়ার্ড বায়াস অবস্থায় পিএন জাংশন ডিপ্লেশন লেয়ারের প্রশস্ততা? –

ক) হ্রাস পায়                        খ) বৃদ্ধি পায়

গ) অপরিবর্তিত থাকে           ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : ক) হ্রাস পায় 

২৮। পিএন জাংশনের মধ্য দিয়ে লিকেজ কারেন্ট প্রবাহিত হয় –

ক) এম্পিয়ার রেঞ্জে                     খ) মিলিএম্পিয়ার রেঞ্জে

গ) কিলোএম্পিয়ার রেঞ্জে              ঘ) মাইক্রোএম্পিয়ার রেঞ্জে

উত্তর : ঘ) মাইক্রোএম্পিয়ার রেঞ্জে

২৯। বিষুদ্ধ সেমিকন্ডাকটরে মুক্ত ইলেকট্রন সংখ্যা –
ক) হোল সংখ্যার সমান                     খ) হোলের চেয়ে বেশী

গ) হোলের চেয়ে কম                         ঘ) কোনটি নয়

উত্তর : ক) হোল সংখ্যার সমান 

৩০। পরম শূণ্য তাপমাত্রায় বিষুদ্ধ সেমিকন্ডাকটরে থাকে–
ক) কিছু মুক্ত ইলেকট্রন                   খ) প্রচুর হোল

গ) প্রচুর মুক্ত ইলেকট্রন                   ঘ) কোন হোল ও মুক্ত ইলেকট্রন থাকেনা

উত্তর :   ঘ) কোন হোল ও মুক্ত ইলেকট্রন থাকেনা

৩১। কক্ষ তাপমাত্রায় বিষুদ্ধ সেমিকন্ডাকটরের আচরণ –

ক) ব্যাটারীর মত                        খ) পরিবাহীর মত

গ) প্রায় অপরিবাহীর মত             ঘ) এক খন্ড তামার তারের মত।

উত্তর : গ) প্রায় অপরিবাহীর মত   
অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যান্ড এবং বৈদ্যুতিক প্রবাহ

অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যান্ড এবং বৈদ্যুতিক প্রবাহ

                                   অর্ধপরিবাহী সম্পর্কে পড়তে এখানে ক্লিক করুন
                    অর্ধপরিবাহীর গাঠনিক বৈশিষ্ট্য সম্পর্কে পড়তে এখানে ক্লিক করুন
              অর্ধপরিবাহী ও পিএন জাংশন এর বহুনির্বাচনী পড়তে এখানে ক্লিক করুন

সর্বোত্তম স্ফটিকাকার অর্ধপরিবাহীতে, ইলেকট্রন শুধুমাত্র নির্দিষ্ট ব্যান্ড মধ্যে শক্তি ধারণ করতে পারে। শক্তিগত ভাবে, এই ব্যান্ডের অবস্থান পদার্থের মধ্যে শক্তভাবে যুক্ত ইলেক্ট্রন এবং মুক্ত ইলেক্ট্রন শক্তির মাঝামাঝি। শক্তি ব্যান্ডের এক একটি উপাদান পৃথকভাবে স্বতন্ত্র কোয়ান্টাম রাজ্যের অনেকগুলো ইলেকট্রনের সাথে মিলে যায় এবং কম শক্তি সম্পন্ন স্তর (নিউক্লিয়াসের কাছাকাছি অবস্থিত) গুলো থেকে যোজ্যতা ব্যান্ড পর্যন্ত দখল শক্তি দখল করে নেয়। অর্ধপরিবাহী থেকে কুপরিবাহীগুলো থেকে সম্পূর্ণ ভাবে আলাদা কারন কোনো ধাতু মধ্যে যোজ্যতা ব্যান্ড স্বাভাবিক কার্যকর অবস্থার ইলেকট্রন দ্বারা পরিপূর্ণ থাকে যেখানে খুব কম সঙ্খক অর্ধপরিবাহী আছে যাদের পরিবহন ব্যান্ডে ইলেকট্রন পাওয়া যায় যা যোজ্যতা ব্যান্ড উপরে।


কতটা স্বচ্ছন্দে সঙ্গে যা অর্ধপরিবাহীর যোজ্যতা ব্যান্ড থেকে পরিবহন ব্যান্ডে উত্তেজিত করা যাবে তা মূলত ব্যান্ডের মধ্যে ব্যান্ড ফাঁক (ব্যান্ড গ্যাপ) উপর নির্ভর করে। যথেচ্ছ ভাবে বিভাজিত সেমি কন্ডাক্টর এবং কুপরিবাহীর লাইন এর মধ্যে শক্তি ব্যান্ড ফাঁক প্রায় 4 eV এর মতো।

সমযোজী বন্ধনের ক্ষেত্রে ইলেক্ট্রন গুলো প্রতিবেশী বন্ধনের আশায় ঘুরতে থাকে। Pauli বর্জন নীতির জন্য ইলেক্ট্রনের প্রয়োজন নিজ স্তর থেকে উচ্চতর বিরোধী স্তরে পৌছানো। যেমন এক মাত্রার জন্য একটি ছোট তারে, প্রত্যেকটি নির্দিষ্ট শক্তির জন্য একটা অবস্থা আছে যার জন্য ইলেকট্রন এক দিক প্রবাহিত হতে দেখা যায় অন্য অবস্থার জন্য ইলেকট্রন অন্য দিকে প্রবাহিত হয়। একটি নেট বর্তমান প্রবাহে জন্য, এক দিকের দিকবিন্যাস অন্য দিকের থেকে বেশি হতে হয়। এটি সম্পাদনের জন্য অর্ধপরিবাহী পরবর্তী উচ্চতর অবস্থা ব্যান্ড ফাঁক শক্তি উপরে থাকা প্রয়োজন হয়। প্রায়ই এটি এটা বলা হয় যে: সম্পূর্ণ ব্যান্ডের তরিত প্রবাহ অবদান রাখে না। তবে, যেহেতু একটি অর্ধপরিবাহী তাপমাত্রা পরম শূন্য উপরে উথানো হয়, সেহেতু অর্ধপরিবাহীর জাফরি ​​কম্পন এবং ইলেকট্রনের পরিবহন ব্যান্ডে উত্তেজিত করার মত যথেষ্ট শক্টি আছে। প্রবাহী ইলেক্ট্রনগুলকে মুক্ত ইলেকট্রন বলে। উত্তেজিত ইলেকট্রন গুলো পরিবহন ব্যান্ড পিছনে গর্ত ছেড়ে আশে। গর্ত নিজেদের নড়াচড়া করবেন না, কিন্তু একটি প্রতিবেশী ইলেক্ট্রন থেকে গর্ত ভরাট স্থানান্তর করতে এগিয়ে আশে। গর্ত এই ভাবে এভাবে এক স্থান থেকে অন্য স্থানে সরে আসে এবং এদের আচরণ ধনাত্তক আধানের মত। এক কঠিন মধ্যে প্রতিবেশী পরমাণু মধ্যে সমযোজী বন্ড হল পরমাণু একক ইলেকট্রনের বাঁধাই চেয়ে দশ গুন শক্তিশালি, তাই ইলেক্ট্রন মুক্ত স্ফটিক কাঠামো ধ্বংস পরোক্ষভাবে প্রকাশ করা হয় না।
অর্ধপরিবাহী  (ইলেক্ট্রনিক্স)

অর্ধপরিবাহী (ইলেক্ট্রনিক্স)

                          অর্ধপরিবাহী  (ইলেক্ট্রনিক্স)

অর্ধপরিবাহী (ইংরেজি: Semiconductor) এক বিশেষ ধরণের পদার্থ যাদের তড়িৎ পরিবাহিতা পরিবাহী (ইংরেজি: Conductor) এবং অন্তরকের (ইংরেজি: Insulator) মাঝামাঝি। 
সিলিকন, জার্মেনিয়াম, ক্যাডমিয়াম সালফাইড, গ্যালিয়াম আর্সেনাইড ইত্যাদি অর্ধপরিবাহী পদার্থের উদাহরণ। 
কোন পদার্থ কতটুকু তড়িৎ পরিবহন করতে সক্ষম তা তাদের আপেক্ষিক রোধের মানের ওপর নির্ভর করে। যার আপেক্ষিক রোধ যত বেশি তার পরিবাহিতা তত কম। 
যেমন, 
      স্বাভাবিক তাপমাত্রায় কাচের (অন্তরক) আপেক্ষিক রোধ ১০১৬ ওহম-মিটার আর তামার (পরিবাহী) হলো ১০−৮। অর্ধপরিবাহীর আপেক্ষিক রোধের গড় মান এদের মাঝামাঝি (সাধারণত ১০−৫ থেকে ১০৮ এর মধ্যে)।

আধুনিক যুগে প্রযুক্তির প্রভূত অগ্রগতির মূলে রয়েছে এই অর্ধপরিবাহী। কারণ এটি দিয়েই প্রথমে ডায়োড এবং পরবর্তীতে ট্রানজিস্টর নির্মীত হয়। আর এদের হাত ধরেই যাত্রা শুরু হয় আধুনিক ইলেকট্রনিক্স যুগের। তড়িৎ ও ইলেকট্রনিক প্রকৌশলে এর বিশাল ভূমিকা রয়েছে। আর বিজ্ঞানের যে শাখায় এ নিয়ে আলোচনা করা হয় তা হল কঠিন অবস্থা পদার্থবিজ্ঞান (সলিড স্টেট)। অর্ধপরিবাহীর বিশেষ বৈশিষ্ট্য হচ্ছে, একে উত্তপ্ত করা হলে তড়িৎ পরিবাহিতা বৃদ্ধি পায়। তাই উচ্চ তাপমাত্রায় এটি সুপরিবাহীর মত আচরণ করে। অথচ সুপরিবাহীকে উত্তপ্ত করলে তার পরিবাহিতা কমে যায়। এর সর্বপ্রধান বৈশিষ্ট্য হচ্ছে, কোন বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর সাথে নির্দিষ্ট কোন অপদ্রব্যের খুব সামান্য পরিমাণ (এক কোটি ভাগে এক ভাগ) যোগ করলে তার রোধ অনেকগুণ কমে যায়, ফলতই পরিবাহিতা বেড়ে যায় অনেকগুণ। এভাবে অপদ্রব্য মেশানোর প্রক্রিয়াকে বলে ডোপায়ন। এই ডোপায়নের মাধ্যমেই ইলেকট্রনিক যন্ত্রপাতি নির্মাণ করা হয়।
                             অর্ধপরিবাহীর গাঠনিক বৈশিষ্ট্য সম্পর্কে পড়তে এখানে ক্লিক করুন
                  অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যান্ড এবং বৈদ্যুতিক প্রবাহ সম্পর্কে পড়তে এখানে ক্লিক করুন 
                       অর্ধপরিবাহী ও পিএন জাংশন এর বহুনির্বাচনী পড়তে এখানে ক্লিক করুন
Wednesday, August 10, 2016

ইলেক্ট্রনিক্স কি?



ইলেক্ট্রনিক্স (মূলতঃ ইংরেজি Electronics ইলেক্‌ট্রনিক্‌স্‌) তড়িৎ প্রকৌশলের একটি শাখা যেখানে ভ্যাকিউম টিউব, গ্যাস অথবা অর্ধপরিবাহী (semi conductor) যন্ত্রাংশের মধ্য দিয়ে ইলেক্ট্রনের প্রবাহ, সীমাবদ্ধতা, ব্যবহারিক আচরণ ও প্রক্রিয়া আলোচিত হয়। ১৯০৪ সালে জন অ্যামব্রোস ফ্লেমিং দুইটি তড়িৎ ধারক (electrodes) বৈশিষ্ট সম্পূর্ণ বদ্ধ কাচের এক প্রকার নল (vacuum tube) উদ্ভাবন করেন ও তার মধ্য দিয়ে একমুখী তড়িৎ পাঠাতে সক্ষম হন। তাই সেই সময় থেকে ইলেকট্রনিক্‌সের শুরু হয়েছে বলা যায়।

ইলেক্ট্রনিক প্রকৌশল প্রধানত ইলেকট্রনিক বর্তনীর নকশা প্রণয়ন এবং পরীক্ষণের কাজে ব্যবহৃত হয়। ইলেকট্রনিক বর্তনী সাধারণত রেজিস্টর, ক্যাপাসিটর, ইন্ডাক্টর, ডায়োডপ্রভৃতি দ্বারা কোন নির্দিষ্ট কার্যক্রম সম্পাদন করার জন্য তৈরি করা হয়। বেতার যন্ত্রেরটিউনার যেটি শুধুমাত্র আকাংক্ষিত বেতার স্টেশন ছাড়া অন্য গুলোকে বাতিল করতে সাহায্য করে, ইলেকট্রনিক বর্তনীর একটি উদাহরণ। পাশে আরেকটি উদাহরনের (নিউমেটিক সংকেত কন্ডিশনারের ) ছবি দেওয়া হলো।

দ্বিতীয় বিশ্বযুদ্ধের আগে ইলেক্ট্রনিক্স প্রকৌশল রেডিও প্রকৌশল বা বেতার প্রকৌশল নামে পরিচিত ছিল। তখন এর কাজের পরিধি রাডার, বাণিজ্যিক বেতার (Radio) এবং আদিটেলিভিশনে সীমাবদ্ধ ছিল। বিশ্বযুদ্ধের পরে যখন ভোক্তা বা ব্যবহারকারী-কেন্দ্রিক যন্ত্রপাতির উন্নয়ন শুরু হল, তখন থেকে প্রকৌশলের এই শাখা বিস্তৃত হতে শুরু করে এবং আধুনিক টেলিভিশন, অডিও ব্যবস্থা, কম্পিউটার এবং মাইক্রোপ্রসেসর এই শাখার অন্তর্ভুক্ত হয়। পঞ্চাশের দশকের মাঝামাঝি থেকে বেতার প্রকৌশল নামটি ধীরে ধীরে পরিবর্তিত হয়ে দশকের শেষ নাগাদ ইলেকট্রনিক্‌স নাম ধারণ করে।

উইলিয়াম ব্র্যাডফোর্ড শকলি, জন বারডিন এবং ওয়াল্টার হাউজার ব্র্যাটেইন একসাথে যৌথভাবে ট্রানজিস্টর উদ্ভাবন করেন। ১৯৪৮ সালে ট্রানজিস্টর উদ্ভাবন ও ১৯৫৯ সালে সমন্বিত বর্তনী (integrated circuit or IC) উদ্ভাবনের আগে ইলেক্ট্রনিক বর্তনী তৈরি হতো বড় আকারের পৃথক পৃথক ভ্যাকিউম টিউব যন্ত্রাংশ দিয়ে। এই সব বিশাল আকারের যন্ত্রাংশ দিয়ে তৈরি বর্তনীগুলো বিপুল জায়গা দখল করত এবং এগুলো চালাতে অনেক শক্তিলাগত। এই যন্ত্রাংশগুলোর গতিও ছিল অনেক কম। অন্যদিকে সমন্বিত বর্তনী বা আই সি অসংখ্য (প্রায়ই ১০ লক্ষ বা এক মিলিয়নেরও বেশি) ক্ষুদ্রাতিক্ষুদ্র তড়িৎ যন্ত্রাংশ, যাদের বেশিরভাগই মূলত ট্রানজিস্টর দিয়ে গঠিত হয়। এই যন্ত্রাংশগুলোকে একটি ছোট্ট পয়সা আকারের সিলিকন চিলতে বা চিপের উপরে সমন্বিত করে সমন্বিত বর্তনী তৈরি করা হয়। বর্তমানের অত্যাধুনিক কম্পিউটার বা নিত্য দিনের প্রয়োজনীয় ইলেক্ট্রনিক যন্ত্রপাতি সবই প্রধানত সমন্বিত বর্তনী বা আই সি দ্বারা নির্মিত।

Copyright © 2015 Current World BD NEW THEAM
Back To Top